射頻開關是射頻收發器前端的一個重要功能模塊，其主要功能包括收發信道的切換選擇、信號調制以及構建各種類型控制電路，諸如移相器、衰減器等。常用的收發（Transmit/Receive, T/R）開關通常由傳輸分支和接收分支組成。沿著接收支路，接收到的射頻信號將通過帶通濾波器（Bandpass Filter, BPF），然后通過T/R開關切換到低噪聲放大器（LNA）；而在傳輸分支中，傳輸的射頻信號將由功率放大器（Power Amplifier, PA）放大，然后由T/R開關切換到天線。特別是，在任何基于時分雙工（Time-Division Duplexing, TDD）的無線電前端中都可以找到T/R開關，它將無線電發射機（Transmitter, Tx）和接收機（Receiver, Rx）交替連接到共用天線。TDD無線電系統固有地提供了頻分雙工（Frequency-Division Duplexing, FDD）無線電系統無法提供的許多優點和靈活性。這些優點包括信道互易性（Channel Reciprocity）、動態帶寬分配（Dynamic Bandwidth Allocation）和更高的頻率分集（Frequency Diversity）。

  射頻開關可以使用機械開關或固態開關實現。機械開關可以制作成波導或同軸線形式，且能操縱高功率，但很笨重且速度較慢。與機械開關相比，固態（Solid-State）開關具有以下優點：更快的開關速度或更短的開關時間，更高的可靠性以及更緊湊的尺寸，因此更容易在大規模集成/制造中使用。微納加工（Micromachining）提供了如射頻微電子機械系統（Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）等新技術以實現射頻開關，但集成和可靠性挑戰阻礙了這些解決方案的采用。固態開關可以使用PIN（Positive Intrinsic Negative）二極管、MESFET（Metal-Semiconductor Field Effect Transistor）/高電遷移率晶體管（High Electro-Mobility Transistors, HEMT）、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）晶體管等固態器件實現。

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