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BAW,SAW和FBAR濾波器剖析

發(fā)布時(shí)間:2023-04-03作者來源:金航標(biāo)瀏覽:1682

很多通信系統(tǒng)發(fā)展到某種程度都會(huì)有小型化的趨勢。一方面小型化可以讓系統(tǒng)更加輕便和有效,另一方面,日益發(fā)展的IC制造技術(shù)可以用更低的成本生產(chǎn)出大批量的小型產(chǎn)品。

MEMS(MicroElectromechanical System)是這種小型產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)之一。MEMS可以檢測環(huán)境的變化并通過微型電路產(chǎn)生相關(guān)反應(yīng)。MEMS的主要部分包括sensor(微傳感器)或actuator(微執(zhí)行器)和transducer(轉(zhuǎn)換裝置),其中sensor可以檢測某種物理,化學(xué)或生物的存在或強(qiáng)度,比如溫度,壓力,聲音或化學(xué)成分,transducer會(huì)把一種energy轉(zhuǎn)換成另外一種(比如從電信號到機(jī)械波)。

目前MEMS被廣泛的利用在多個(gè)領(lǐng)域里,如下圖。

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這篇文章主要說說MEMS的幾種RF相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品SAW,BAW, FBAR filter,也是目前手機(jī)中最常用的幾種filter, 并且基站濾波器也有逐步替換的趨勢。

SAW,BAW和FBAR中,A都代表著Acoustic。Acoustic wave中文翻譯成聲波,聲波按頻率分成3段,audio,infrasonic(次聲波)和ultrasonic(超聲波)。

Audio的頻率為20Hz ~ 20KHz, 是人耳能聽見的范圍。

Infrasonic(次聲波)是低頻率,20Hz一下,人耳聽不到,可以用來研究地理現(xiàn)象(比如地震)。

Ultrasonic(超聲波)是20KHz到109KHz,也是人耳聽不到的范圍。

[敏感詞]提到的聲波都是超聲波的范圍,首先我們看看SAW filter。

Surface Acoustic Wave(SAW) filter

顧名思義,SAW是一種沿著固體表面(surface)傳播的聲波(acoustic wave)。

一個(gè)基本的SAW filter由壓電材料(piezoelectric substrate)和2個(gè)Interdigital Transducers(IDT)組成,如下圖。

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IDT是由交叉排列的金屬電極組成,上圖中左邊的IDT把電信號(electrical signal)轉(zhuǎn)成聲波(acoustic wave),右邊的IDT把接收到的聲波再轉(zhuǎn)成電信號。

電信號和聲波(屬于mechanical wave)之間轉(zhuǎn)換也稱為electromechanical coupling。

那IDT是怎么把電信號轉(zhuǎn)成聲波呢?原因在于IDT下方的壓電材料。

壓電(piezoelectricity or piezoelectric effect)

Piezoelectricity這詞來源于希臘語 piezein,表示施加壓力,1880年由兩位法國物理學(xué)家(Pierre,Paul-Jacques Curie)發(fā)現(xiàn)。壓電是指某些晶體(Crystal)受到外部壓力時(shí)會(huì)產(chǎn)生電壓,相反地,如果某些晶體兩面存在電壓,晶體形狀會(huì)輕微變形。

為什么會(huì)發(fā)生這種現(xiàn)象?

首先說晶體,科學(xué)意義上的晶體指其原子或分子在三維空間內(nèi)以非常有規(guī)律地排列,而且隔一段距離重復(fù)著unit cell(基本組成單元)的固體,比如食鹽和糖也是晶體。大部分晶體的unit cell原子排列是對稱的(with a center of symmetry),不管有沒有外部壓力,基本單元里的net electric dipole始終是零,而壓電晶體的原子排列是不對稱的(lacks a center of symmetry)。

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壓電晶體原子排列雖然不對稱,但正電荷(positive charge)會(huì)和附近負(fù)電荷(negative charge)相互抵消(更確切是electric dipole moments相互抵消),所以整體的晶體不帶電。當(dāng)晶體受到壓力時(shí)外形會(huì)變化,一些原子間距離會(huì)變得更近或者更遠(yuǎn),打亂了原來保持的平衡,出現(xiàn)凈電荷(net electrical charge),晶體表面出現(xiàn)positive charge和negative charge。這種現(xiàn)象稱為壓電(piezoelectric effect)。

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相反地,晶體兩端加電壓時(shí)原子受到“electrical pressure”,為了保持電荷的平衡,原子來回震動(dòng)使壓電晶體形狀輕微變形。這種現(xiàn)象稱為reverse-piezoelectric effect。

石英(quartz)是很常見的壓電材料,我們平時(shí)生活中使用的石英表也利用了石英的壓電特性。紐扣電池給手表里面的電路供電,電路會(huì)讓石英晶體[敏感詞]的震蕩(震動(dòng))32768次/秒,再把震蕩轉(zhuǎn)成一次/秒的脈沖,脈沖再驅(qū)動(dòng)小型電機(jī)進(jìn)而轉(zhuǎn)動(dòng)齒輪(指針)。

SAW filter常用的壓電材料有LiTaO3,LiNbO3,SiO2等。其基本結(jié)構(gòu)中左邊IDT交叉排列的電極之間交流電壓產(chǎn)生壓電材料的mechanical stress并以SAW的形式沿著表面?zhèn)鞑ィ诖怪狈较蛏蟂AW幅度快速衰落。右邊的IDT也是同樣結(jié)構(gòu),只是接收SAW,輸出電信號。中間部分的shielding會(huì)影響輸入和輸出之間的耦合(coupling),關(guān)系到通帶內(nèi)的幅度ripple和群時(shí)延(group delay)。

SAW filter也可以用ladder type(串并組合),如下圖。

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SAW的頻率可以大致參考以下公式:F = V/λ

V是SAW的速率(velocity),大概3100m/s, λ是IDT電極之間間距。

從公式可以看出,頻率越高IDT電極之間間距越小,所以SAW filter不太適合大約2.5GHz以上的頻率。另外很小的間距(高頻率)下電流密度太大(高功率)會(huì)導(dǎo)致電遷移(electromigration)和發(fā)熱等問題,當(dāng)然,通過一些方法(IDT材料的改進(jìn)等)也可以彌補(bǔ)這些。

SAW filter對溫度變化也敏感,性能隨著溫度升高變差。TC(temperature compensated)-SAW filter就是為了改善溫度性能,IDT上增加了保護(hù)涂層。普通的SAW filter頻率溫度系數(shù)(TCF, temperature coefficient of frequency)大約-45ppm/oC左右,而TC-SAW大約-15到-25ppm/oC。增加的涂層使工藝變得復(fù)雜,成本也增加,不過相對BAW filter還是便宜一些。

Bulk Acoustic Wave(BAW) filter

相比SAW filter,BAW filter更適合于高頻率。跟SAW/TC-SAW filter一樣,BAW filter的大小也隨著頻率增加而減少。另外,BAW filter有對溫度變化不敏感,[敏感詞]損耗小,帶外衰減大(steep filter skirts)等優(yōu)點(diǎn)。

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與SAW filter不同,聲波在BAW filter里是垂直傳播。從名字也可以看出,SAW是surface, 沿著表面?zhèn)鞑ィ珺AW是bulk,物體內(nèi)傳播。

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BAW filter的最基本結(jié)構(gòu)是兩個(gè)金屬電極夾著壓電薄膜(Quartz substrate在2GHz下厚度為2um),聲波在壓電薄膜里震蕩形成駐波(standing wave)。

為了把聲波留在壓電薄膜里震蕩,震蕩結(jié)構(gòu)和外部環(huán)境之間必須有足夠的隔離才能得到最小loss和最大Q值。聲波在固體里傳播速度為~5000m/s,也就是說固體的聲波阻抗大約為空氣的105倍,所以99.995%的聲波能量會(huì)在固體和空氣邊界處反射回來,跟原來的波(incident wave)一起形成駐波。而震蕩結(jié)構(gòu)的另一面,壓電材料的聲波阻抗和其他襯底(比如Si)的差別不大,所以不能把壓電層直接deposit(沉積)在Si襯底上。

有一種方法是在震蕩結(jié)構(gòu)下方形成Bragg reflector,把聲波反射到壓電層里面。Reflector由好幾層高低交替阻抗層組成,比如第一層的聲波阻抗大,第二層的聲波阻抗小,第三層聲波阻抗大,而且每層的厚度是聲波的λ/4,這樣大部分波會(huì)反射回來和原來的波疊加。這種結(jié)構(gòu)整體效果相當(dāng)于和空氣接觸,大部分聲波被反射回來,這種結(jié)構(gòu)稱為BAW-SMR(Solidly Mounted Resonator),如下圖。

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還有一種方法叫FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator), 包括Membrane type和Airgap type。

Membrane Type是從substrate后面etch到表面(也就是bottom electrode面),形成懸浮的薄膜(thin film)和腔體(cavity)。

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Membrane type類似于BAW resonator的基本模型,兩面都是空氣,由于空氣的聲波阻抗遠(yuǎn)低于壓電層的聲波阻抗,大部分聲波都會(huì)反射回來。不過薄膜結(jié)構(gòu)需要足夠堅(jiān)固以至于在后續(xù)工藝中不受影響。相比BAW-SMR,membrane type

較少一部分跟底下substrate接觸,不好散熱。

Airgap type在制作壓電層之前沉積一個(gè)輔助層(sacrificial support layer),最后再把輔助層去掉,在震蕩結(jié)構(gòu)下方形成air gap。

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因?yàn)橹皇沁吘壊糠指紫聅ubstrate接觸,這種結(jié)構(gòu)在受到壓力時(shí)相對脆弱,而且跟membrane type類似,散熱問題同樣需要關(guān)注。

BAW filter種類

BAW filter可以把多個(gè)resonator按一定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)連接。BAW filter有多種類型,包括ladder type filter,lattice type filter,stacked crystal filter和coupled resonator filter。這里只簡單介紹ladder type和lattice type。

Ladder type(SAW最后也提過)使用的resonator包括串聯(lián)和并聯(lián),一個(gè)串聯(lián)的resonator加一個(gè)并聯(lián)的resonator稱為一個(gè)stage,整個(gè)ladder type filter可以由好幾個(gè)stage組成。

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了解ladder type filter的工作原理之前我們再看看BAW resonator的基本模型,如下圖。

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典型的基本結(jié)構(gòu)如上圖(a),上下金屬電極中間夾著壓電層,對應(yīng)的mBVD等效電路如上圖(b),對應(yīng)的阻抗如上圖(c),可以看出有兩個(gè)resonance頻率,串聯(lián)(fs)和并聯(lián)(fp)。工作原理如下圖。

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在通頻帶(pass band)上,series resonator fs阻抗很小,保證信號通過,shunt resonator fp阻抗很大,阻止信號通過。

Lattice filter中每一個(gè)stage有4個(gè)resonator,包括2個(gè)串聯(lián)和2個(gè)并聯(lián),基本模型如下圖。

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Ladder type可以用在單端(single-ended/unbalanced)和差分(balanced)信號上,而lattice type更適合用在差分(balanced)信號上。

BAW filter常用的壓電材料

石英(quartz)作為常見的壓電材料,在高電壓和高壓力的情況下表現(xiàn)出線性反應(yīng),但還沒有合適的方法把石英做成薄膜deposit在Si襯底上。合適的BAW壓電材料需要high electromechanical coupling coefficient,low electromechanical loss,high thermal stability,還要符合IC工藝技術(shù)。

目前最常用的BAW壓電材料有AlN(aluminum nitride),PZT(lead zirconate titanate),ZnO(zinc oxide)。

關(guān)于波(wave)

物理上,波主要分為兩種,一種是電磁波(electromagnetic wave),這種波不需要任何媒介,而是通過由最初的帶電粒子產(chǎn)生的電場和磁場的周期性震蕩來傳播,所以在真空中也可以傳播。無線電波(radio wave),微波(microwave),可見光,X射線,伽馬射線都屬于電磁波。

還有一種是機(jī)械波(mechanical wave),通過媒介(固體,液體或氣體)傳播,而且媒介的物質(zhì)會(huì)變形。比如聲波在空氣中傳播時(shí),空氣分子會(huì)跟周圍的分子互相碰撞著進(jìn)行不斷的傳播。

機(jī)械波有兩種基本的wave motion; longitudinal(compressive) wave(縱波)和transverse wave(橫波)。

  • Longitudinal(compressive) wave(縱波)

在縱波中,粒子的運(yùn)動(dòng)方向和波的傳播方向是平行的,不過每個(gè)粒子不會(huì)沿著波的方向移動(dòng),只是在各自的平衡狀態(tài)上前后震動(dòng),如下圖。

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  • Transverse wave(橫波)

在橫波中,粒子的運(yùn)動(dòng)方向和波的傳播方向相互垂直。粒子也不會(huì)沿著波的傳播方向移動(dòng),只是在各自的平衡狀態(tài)下上下震動(dòng),如下圖。

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之前在本文章提到的BAW- SMR和FBAR filter圖中,聲波都以縱波(longitudinal)形式傳播,即粒子震動(dòng)方向和波的傳播方向是平行的。也有不同結(jié)構(gòu),聲波以橫波(transverse)形式傳播。

而對于SAW,也叫Rayleighsurface wave,既有縱波也有橫波。固體中粒子以橢圓軌跡震動(dòng),橢圓的長軸垂直于固體表面,隨著固體深度越深,粒子運(yùn)動(dòng)幅度越小。

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REVIEW

1. MEMS是一種小型的器件或結(jié)構(gòu)系統(tǒng),其中可能包括集成的機(jī)械器件和電子器件,感應(yīng)及時(shí)的或者局部環(huán)境變化;或者有相應(yīng)信號輸入時(shí),對及時(shí)的或者局部環(huán)境做出某種物理上的交互動(dòng)作。

2. 某些晶體(Crystal)受到外部壓力時(shí)會(huì)產(chǎn)生凈電荷,稱為piezoelectric effect;相反地,晶體兩端加電壓時(shí)原子受到“electrical pressure”,為了保持電荷的平衡,原子來回震動(dòng)使壓電晶體形狀輕微變形。這種現(xiàn)象稱為reverse-piezoelectric effect。石英(quartz)是一種常見的壓電晶體。

3. SAW是一種沿著固體表面?zhèn)鞑サ穆暡āAW filter基本結(jié)構(gòu)由IDT和壓電材料組成,IDT和壓電材料把電信號轉(zhuǎn)成機(jī)械波(聲波),再把機(jī)械波(聲波)轉(zhuǎn)成電信號。TC-SAW是為了改善溫度性能,增加了保護(hù)涂層。

4. 相比SAW filter, 聲波在BAW filter物體內(nèi)傳播(縱波或橫波)。BAW filter結(jié)構(gòu)有BAW - SMR,F(xiàn)BAR(membrane type和airgap type)。

BAW filter更適合于2.5GHz以上的頻率,BAW filter的制造工藝也非常符合現(xiàn)有的IC制造工藝,適合和其他的active電路做整體的integration。

ref:

1. FABRICATION AND CHARACTERIZTION OF ALN THIN FILM BULKACOUSTIC WAVE RESONATOR, QingmingChen, 2006

2. What is SAW Filters, Token,2010

3. MEMS Everywhere.pdf, Yole,

4. http://www.edn.com/design/wireless-networking/4413442/SAW--BAW-and-the-future-of-wireless

5. http://mems.usc.edu/fbar.htm

6. http://www.explainthatstuff.com/piezoelectricity.html

7. http://www.explainthatstuff.com/quartzclockwatch.html

8. http://www.acs.psu.edu/drussell/Demos/waves/wavemotion.html

9. SiP/SoCIntegrationof RF SAW/BAW Filters, Ken-ya Hashimoto, Chiba University

10. A Study on Baw Technology:Reconfiguration of FBAR Filter, Shivani Chauhan1 Paras Chawla2

11. Bulk Acoustic Wave Devices – Why, How,and Where They are Going, Steven Mahon 1 and Robert Aigner

12. Lattice FBAR Filters: Basic Properties and Opportunities for Improving the Frequency Response, Ivan Uzunov1, Dobromir Gaydazhiev2, Ventsislav Yantchev







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